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Montagem de superfície DO-214AC Pacote Uni-Polar 400W Supressor de tensão transitória TVS Diodo SMAJ8.0A
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | CNAMPFORT |
| Certificação: | ROHS |
| Número do modelo: | SMAJ8.0A |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 2000 |
|---|---|
| Preço: | Negotiable |
| Detalhes da embalagem: | Banda, 2 ou 5 kg por bobina |
| Tempo de entrega: | 1 a 2 semanas |
| Termos de pagamento: | T/T |
| Habilidade da fonte: | 10KKPCS POR O MÊS |
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Informação detalhada |
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| Nome: | Supressor transiente da tensão | Encapsulamento: | SMA (DO-214AC) |
|---|---|---|---|
| Dissipação de poder máximo do pulso: | 400 W | Intervalo de temperatura de funcionamento: | -50 a 150 °C |
| Voltagem para trás: | 8V | Tensão de aperto máxima: | 13.6V |
| Corrente máxima máxima do pulso: | 29.4A | Maximum Reverse Leakage: | 50 uA |
Descrição de produto
Montagem de superfície DO-214AC Pacote Uni-Polar 400W Supressor de tensão transitória TVS Diodo SMAJ8.0A
Diodo de supressão de tensão transitória (TVS) é um componente eletrônico usado para proteger dispositivos eletrônicos de ondas de tensão transitórias.como picos de tensãoOs diodos TVS apresentam as seguintes características principais:
1Alta velocidade de resposta: os diodos TVS podem responder a sobrevoltagem transitória em tempo de nanossegundos, guiando rapidamente a sobrevoltagem para a terra ou outros níveis seguros, protegendo assim o equipamento protegido.
2. Descarga de baixa tensão: os diodos TVS têm uma elevada resistência em condições normais de funcionamento e não terão um impacto significativo na tensão normal de funcionamento.rapidamente se tornará um estado de baixa resistência, dirigindo a sobrevoltagem transitória para terra.
3. Alta capacidade de absorção de energia: os diodos TVS podem absorver uma grande quantidade de energia para proteger o equipamento protegido contra danos por sobrevoltagem.protegendo assim outros componentes eletrónicos.
4. Reutilizável: os diodos TVS podem responder e absorver a sobrevoltagem transitória várias vezes e têm a característica de serem reutilizáveis.Pode fornecer proteção novamente após o retorno às condições normais de trabalhoOs diodos TVS são amplamente utilizados em dispositivos electrónicos, especialmente em equipamentos de comunicação, computadores, alimentação, controlo industrial e outros campos.São frequentemente utilizados para proteger dispositivos semicondutores sensíveis (como circuitos integrados), diodos, transistores, etc.) de picos de tensão e ondas elevadas, evitando danos ao equipamento e perda de dados.
- Excelente capacidade de fixação
- Baixa corrente de fuga
- Baixa capacidade
- Capacidade de alta onda
- Chip passivado de vidro
- Embalagem de resina epoxi
- Relief de tensão incorporado
- Não se cansa.
- Compatível com a RoHS
- Tempo de resposta rápido: normalmente inferior a 1,0s de 0 Volts a VBR min
- Embalagem: embalagem de plástico SMA.
- Finalização de chumbo: estanho fosco
- Material da caixa: composto de moldagem epoxi.
- Classificação UL de inflamabilidade 94V-0
- Sensibilidade à humidade: Nível 1 por J-STD-020
Telecomunicações
Computador
Eletrónica industrial
Produtos electrónicos de consumo
| Número da parte (Uni) | Código de marcação - Uni | Voltagem VR (V) | Voltagem de ruptura VBR @ IT (V) Min | Voltagem de ruptura VBR @ IT (V) Max | Corrente de ensaio IT (mA) | Voltagem de fixação máxima VC@IPP (V) | Corrente de pulso de pico máximo IPP (A) | Máxima fuga inversa IR @ VR (μA) |
| SMAJ8.0A | RH | 8V | 8.89 | 9.83 | 1 | 13.6 | 29.4 | 50 |
- SMD Power TVS -200W SMF -400W SMA -400W P4SMA -600W SMB -600W P6SMB -1000W 1.0SMB -1500W 1.5SMB -1500W SMC -6000W P5T -3000W SMD -5000W 5.0SMD -4600W/3600W SM6S -6600W/5200W SM8S
- TVs de potência de chumbo -3000W 3KP -5000W 5KP -8000W P8S -12000W P12S -15000W 15KP -20000W 20KP -30000W 30KP -400W P4KE -600W P6KE -1500W 1.5KE
Supressor de ESD: ESD - Semicondutor, ESD ESD - ESD polimérico
Proteção de tiristores (TSS)
DIODE/MOS:IC analógico, Diodo de barreira Schottky, Diodo Zener, Diodo, Transistor de comutação, Transistor de junção bipolar, Transistor de efeito de campo